Аспиранты новосибирского Института физики полупроводников будут работать
на оборудовании мирового класса.
Последние несколько лет Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН участвует в программах Минобрнауки России по обновлению приборной базы, и часть лабораторий, включая молодежные, удалось оснастить оборудованием мирового класса. Этот процесс продолжится и в текущем году, ведь Институт выиграл очередной грант Минобрнауки России. Сейчас ИФП СО РАН ведет набор в аспирантуру. Аспиранты под руководством опытных ученых выполняют работы на уровне мировых научных школ, проводят эксперименты, используя новую приборную базу.
Для развития полупроводниковых технологий современное оборудование имеет ключевое значение: на устаревших приборах зачастую невозможно провести измерения тонких эффектов, осуществить нужные эксперименты. Специалисты, умеющие работать на современных сложных установках, интерпретировать результаты – высококвалифицированы, однако, чтобы получить такие навыки, требуется определенное время, и в процессе обучения в аспирантуре это можно сделать.
«Многие молодые ученые и аспиранты ИФП СО РАН – руководители и исполнители грантов Российского научного фонда, Российского фонда фундаментальных исследователей, стипендиаты программ Президента Российской федерации, Правительства РФ, мэрии Новосибирска. Молодые специалисты публикуют работы в высокорейтинговых журналах, участвуют в научных конференциях по всему миру, могут выезжать на стажировки в другие организации (в том числе зарубежные). Аспирантам ежемесячно начисляется государственная стипендия (9927,33 руб.), также они трудоустраиваются в институт, а очное обучение дает отсрочку от армии. В нашем институте ежегодно проводится свой конкурс стипендий для молодых ученых. Администрация ИФП СО РАН содействует в получении общежития, служебного жилья или выплачивается частичная компенсация аренды», – рассказывает руководитель отдела аспирантуры кандидат физико-математических наук Алла Настовьяк.
По словам заведующего молодежной лаборатории нанотехнологий и наноматериалов ИФП СО РАН кандидата физико-математических наук Владимира Селезнева, новое оборудование существенно расширяет технологические возможности подразделения.
Пресс-служба ИФП СО РАН
Подпись Установка атомно-слоевого осаждения,
рядом Сергей Мутилин