Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния.
Результаты работы могут пригодиться для создания энергонезависимой памяти и мобильной связи нового поколения.
Аспирант Института полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) представил сообщение на Международной конференции «Атомно-слоевое осаждение: Россия-2026». Доклад посвящен исследованию сверхтонких плёнок хай-кей (high-k) диэлектриков на основе диоксида гафния внутри кремния. Сообщение признано лучшим среди докладов молодых учёных конференции
«High-k означает высокую диэлектрическую проницаемость. То есть при приложении электрического поля такой диэлектрик сильнее поляризуется и почти не уменьшает электрический потенциал. Это позволяет увеличить толщину подзатворного диэлектрика, снизить утечки и открывать токовый канал в полевом транзисторе при более низких напряжениях. И, в итоге, создавать полупроводниковые устройства с более низким напряжением питания и электропотреблением.
Кроме того, исследуемый вариант диэлектрика обладает сегнетоэлектрическими свойствами, то есть может сохранять поляризацию при выключении внешнего электрического поля. Этот эффект может применяться при создании ячеек памяти или транзисторов с регулируемым порогом открытия», – объясняет аспирант ИФП СО РАН Владимир Евгеньевич Жилицкий.
Молодой ученый работает под руководством заведующего лабораторией института, доктора физико-математических наук Владимира Павловича Попова. Работа выполняется при поддержке грантов Российского научного фонда (№ 25-19-20049) и правительства Новосибирской области (№ 30-2025-000924).
Пока исследование носит фундаментальный характер, но все впереди.
Пресс-служба ИФП СО РАН
Обратная связь